[发明专利]气体反应装置和半导体处理装置无效
| 申请号： | 200480001061.4 | 申请日： | 2004-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1701422A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 饭塚八城 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/448 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 气体反应装置包含使液体原料气化并生成反应气体的气化器(230)和使反应气体反应的反应室(221A)，气化器(230)对用于划分成反应室(221A)的构成部件一体地构成，在气化器(230)内生成的反应气体直接地导入反应室(221A)内。气化器(230)的气化室(232)作为在顶板(230A)和在所述顶板(230A)的上面上安装的帽(230B)之间的空间而形成。在帽(230B)和顶板(230A)之间形成与气化室(232)连通的狭窄通路(233)。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 反应 装置 半导体 处理 | ||
【主权项】：
1、一种气体反应装置，其特征在于，具有：使液体原料气化，生成反应气体的气化器；和使所述反应气体反应的反应室，所述气化器对划分成所述反应室的构成部件一体构成，在所述气化器内生成的所述反应气体直接导入所述反应室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
