[发明专利]具有弱耦合层状无机半导体的场效应晶体管无效
| 申请号： | 200480001314.8 | 申请日： | 2004-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1706036A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 恩斯特·布赫;迈克尔·E·格申森;克里斯蒂安·克洛克;维塔利·波佐罗夫 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司;拉特格斯;新泽西州立大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，包括源、漏和栅电极；无机半导体晶体或多晶层；以及介质层。无机半导体层具有从源电极向漏电极物理延伸的有源沟道部分。无机半导体具有2维多层的叠层，其中层内键合力是共价和/或离子键。所述多层的相邻层由比共价和离子键合力弱得多的力键合在一起。介质层被插入在栅电极和无机半导体材料层之间。栅电极被设置成控制无机半导体层的有源沟道部分的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 耦合 层状 无机 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括场效应晶体管，该晶体管包括：源、漏和栅电极；具有从源电极向漏电极物理延伸的有源沟道部分的无机半导体晶体或多晶层，无机半导体具有2维多层的叠层，其中层内键合力是共价和/或离子键，多层中相邻的层由比共价和离子键合力弱得多的力键合在一起；以及插入在栅电极和无机半导体材料层之间的介质层，栅电极被构造成控制无机半导体层的有源沟道部分的导电性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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