[发明专利]用于有气体可渗透坩埚壁的AIN单晶生产的方法和设备无效
| 申请号： | 200480001580.0 | 申请日： | 2004-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1717508A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·拉思普;欧文·施米特;托马斯·斯特劳宾格尔;迈克尔·沃格尔 | 申请（专利权）人： | Si晶体股份公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥;巫肖南 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本方法和设备用于制备AlN单晶(32)。从AlN源材料(30)的成分产生气相，该源材料位于坩埚(10)的贮存区(12)。AlN单晶(32)在坩埚(10)的结晶区(13)中从气相长出。至少一种气相成分，例如存在于气相中的各成分的一部分可以在坩埚(10)的外区(15)和坩埚(10)的内区(11)之间扩散，特别是在两个方向扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 气体 渗透 坩埚 ain 生产 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、制备至少一种AlN单晶(32)的方法，其中，至少a)一种气相至少部分地由源材料(30)产生，该源材料位于坩埚(10)的贮存区(12)中并含有AlN单晶的至少一种成分，和b)坩埚(10)的结晶区(13)中的AlN单晶(32)借助生长从气相中产生，其特征在于，c)至少一种气态成分至少有时候借助坩埚(10)的外区(15)和坩埚(10)的内区(11)之间的第一次扩散(27)而进行传输。
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