[发明专利]驱动非易失性存储器的方法

摘要

作为具有电连接栅电极及基板的场效应晶体管(1)和使用了相变材料的电阻变化元件(2)的存储单元呈2维阵列状排列的、驱动非易失性存储器的方法，按照在规定的字线(WL_i)及位线(BL_j)之间施加上比场效应晶体管(1)的源极及基板间的pn结正向上升电压还大的电压的方式，在字线(WL_i)、位线(BL_j)及电压供给部(VA)的各个施加规定电压后，使施加到字线(WL_i)的电压急速或缓慢地返回初始电压，通过使该电阻变化元件(2)为高电阻或低电阻，消除或记录数据，通过使场效应晶体管(1)导通，检测该电阻变化元件(2)的电阻值，读出数据。

主权项

1、一种驱动非易失性存储器的方法，其特征在于，该非易失性存储器包括：具有：电连接栅电极及基板的n沟道场效应晶体管；以及具有第一端子及第二端子、所述第一端子与所述场效应晶体管的源极连接、使用相变材料形成的电阻变化元件，而且2维阵列状排列的多个存储单元，与各行的所述存储单元的所述栅电极连接的字线；与各列的所述存储单元的所述第二端子连接的位线；和与全部的所述场效应晶体管的漏极连接的共用电压供给部，在使第一存储单元具有的电阻变化元件成高电阻状态的情况下，顺序执行以下3个步骤：在全部所述字线及与所述第一存储单元连接的位线上施加初始电压，而且在与所述第一存储单元连接的位线以外的位线及所述电压供给部上施加比所述初始电压大的第一电压的第一复位步骤，通过在与所述第一存储单元连接的字线上，以所述初始电压作为基准，施加上比所述场效应晶体管的pn结的正向上升电压大的、在所述第一电压以上的、且比所述第一电压和所述上升电压之和小的第二电压，在所述第一存储单元所具有的电阻变化元件内流过复位电流的第二复位步骤，和在与所述第一存储单元连接的字线上施加所述初始电压的第三复位步骤，在使第二存储单元具有的电阻变化元件成低电阻状态的情况下，顺序执行以下3个步骤：在全部所述字线及与所述第二存储单元连接的位线上施加所述初始电压，而且在与所述第二存储单元连接的位线以外的位线及所述电压供给部上施加比所述初始电压还大的第三电压的第一设置步骤，通过在与所述第一存储单元连接的字线上，以所述初始电压作为基准，施加上比所述场效应晶体管的pn结的正向上升电压还大的、所述第三电压以上的、且比所述第三电压和所述上升电压的和小的第四电压，在所述第二存储单元具有的电阻变化元件内流过设置电流的第二设置步骤，和在与所述第二存储单元连接的字线上施加所述初始电压的第三设置步骤，在读出第三存储单元具有的电阻变化元件的状态的情况下，执行如下第一读出步骤；在与所述第三存储单元连接的字线上施加第五电压并使所述第三存储单元具有的场效应晶体管导通的同时，通过在与所述第三存储单元连接的位线和所述电压供给部之间产生电位差，流过电流，检测在所述第三存储单元所具有的电阻变化元件内流过的电流值作为在所述位线内流过的电流大小。