[发明专利]半导体存储器单元、阵列、体系结构和器件及其操作方法

摘要

在此描述和图示了许多发明。在第一方面中，本发明针对一种存储器单元和从该存储器单元读取数据和将数据写入其中的技术。就此而言，在本发明此方面的一个实施例中，存储器单元包括存储互补数据状态的两个晶体管。就是说，二－晶体管的存储器单元包括第一晶体管，其维持相对于第二晶体管的互补状态。于是，当被编程时，存储器单元的晶体管之一存储逻辑低(二进制“0”)，存储器单元的另一晶体管存储逻辑高(二进制“1”)。二－晶体管互补存储器单元的数据状态可通过采样、感测测量和/或检测互补存储器单元的每个晶体管中存储的逻辑状态极性来读取和/或确定。就是说，二－晶体管的互补存储器单元是通过采样、感测测量和/或检测两个晶体管中存储的信号(电流或电压)差来读取的。

主权项

1.一种半导体动态随机存取存储器单元，用于存储第一数据状态和第二数据状态，该存储器单元包括：第一和第二晶体管，其中每个晶体管包括：源区；漏区；体区，设置于源区和漏区之间且与之相邻，其中体区是电浮置的；以及栅极，其与体区间隔开且电容耦合于体区；其中每个晶体管包括表示体区中第一电荷的第一状态和表示体区中第二电荷的第二数据状态，以及其中存储器单元：(1)在第一晶体管处于第一状态且第二晶体管处于第二状态时处于第一数据状态；以及(2)在第一晶体管处于第二状态且第二晶体管处于第一状态时处于第二数据状态。