[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200480001819.4 | 申请日： | 2004-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1723551A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 仙田亚由美 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K3/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当通过接合凸点在安装板上安装半导体芯片时，由于凸点的相互位置偏移而发生接合故障。在通过倒装芯片系统将其上形成有多个凸点的半导体芯片安装到其上形成有多个凸点(4)的安装板(3)上之前，在其上形成凸点的安装板(3)上形成比凸点(4)厚的抗蚀剂层(5)，然后构图该抗蚀剂层以形成半圆形截面的突出引导体(5A)，其从凸点(4)附近的凸点(4)形成面突出并且具有朝向安装板(3)上的凸点(4)侧的引导面(曲面)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其中，在通过倒装芯片接合将具有多个凸点的半导体芯片安装到具有多个凸点的安装衬底上之前，在所述半导体芯片和所述安装衬底中的至少一个上形成突出引导体，使得所述突出引导体靠近所述凸点突出并从其上设置有所述凸点的表面突出，并且使所述突出引导体具有指向所述凸点的引导面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
