[发明专利]加工氮化物半导体晶体表面的方法和由该方法得到的氮化物半导体晶体在审
| 申请号： | 200480001850.8 | 申请日： | 2004-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1723548A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 中畑成二;弘田龙;石桥惠二;佐佐木孝友;森勇介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;森勇介 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C30B33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种加工氮化物半导体晶体表面的方法的特征在于，使至少包含Na、Li或Ca的加工溶液(15)与氮化物半导体晶体(11)的表面接触。加工溶液(15)可以是至少包含Na的液体，其Na含量为5－95摩尔％。加工溶液(15)可以是至少包含Li的液体，其中Li含量为5至100摩尔％。还公开了通过该方法得到的氮化物半导体晶体，其最大表面刮擦深度为0.01μm或以下，且破坏层的平均厚度为2μm或以下。即，加工氮化物半导体晶体表面的方法可以提供减小表面刮擦深度和破坏层厚度，和由该方法得到的氮化物半导体晶体具有浅的表面刮擦深度和薄的破坏层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 氮化物 半导体 晶体 表面 方法 得到 | ||
【主权项】：
1.一种加工氮化物半导体晶体表面的方法，其中使氮化物半导体晶体(11)的表面与作为加工溶液(15)的至少包含Na、Li或Ca的液体接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社;森勇介，未经住友电气工业株式会社;森勇介许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480001850.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：那格列奈的多晶型
- 下一篇：图像读取装置和用于该装置的电路板单元
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
