[发明专利]在剥离其薄层之后通过机械方法重复利用包含剥离结构的晶片有效
| 申请号： | 200480001944.5 | 申请日： | 2004-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1723553A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | B·吉瑟朗;C·奥尔内特;B·奥斯特诺德;T·赤津;B·富尔 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片(10)的一种方法。施主晶片(10)依次包含衬底(1)和剥离结构(I)，在剥离之前剥离结构(I)包括待剥离的有用层；该方法包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于除去物质包括使用机械方法，以便在除去物质之后保留剥离结构的至少一部分(I’)，该剥离结构的至少一部分(I’)包含至少一层在重复利用之后可以剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。本文献还涉及：从根据本发明可以重复利用的施主晶片(10)剥离薄层的方法；根据本发明可以重复利用的施主晶片(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 薄层 之后 通过 机械 方法 重复 利用 包含 结构 晶片 | ||
【主权项】：
1.在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片(10)的一种方法，所述施主晶片(10)依次包含衬底(1)和剥离结构(I)，在剥离之前剥离结构(I)包括待剥离的有用层，所述方法包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于除去物质包括使用机械方法，以便在除去物质之后保留剥离结构的至少一部分(I’)，该剥离结构的至少一部分(I’)包含至少一层在重复利用之后可以剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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