[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200480002108.9 | 申请日： | 2004-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1736009A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 长谷川义晃;横川俊哉;山田笃志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III－V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III－V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III－V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III－V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III－V族化合物半导体成长的工序(D)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光元件，具有：第1III-V族化合物半导体；由在所述第1III-V族化合物半导体的表面选择的区域上成长的第2III-V族化合物半导体形成、并具有向振荡器长度方向延伸的条状开口部的电流狭窄层；以及覆盖通过所述条状开口部而露出的所述第1III-V族化合物半导体的表面及所述电流狭窄层的表面的第3III-V族化合物半导体。
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