[发明专利]多厚度硅化物器件的CMOS集成无效
| 申请号： | 200480002229.3 | 申请日： | 2004-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1784774A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 施里什·纳拉西姆哈;帕特里夏·奥尼尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及到一种低外部电阻互补金属－氧化物－半导体(CMOS)器件及其制作方法。本发明的MOSFET是这样制作的，先在衬底中及栅区上表面上制作第一硅化物区，然后制作第二硅化物区，其中第二硅化物的厚度大于第一硅化物的厚度。本发明的方法是制作紧靠器件沟道区的低阻第一硅化物，此第一硅化物的加入降低了器件的外部电阻，而第二硅化物的加入形成了低表面电阻的互连。 | ||
| 搜索关键词： | 厚度 硅化物 器件 cmos 集成 | ||
【主权项】：
1.一种制作低阻MOSFET器件的方法，包括以下步骤：在衬底表面上制作栅区；在所述栅区侧壁上制作第一隔层宽度的第一隔层；在所述衬底和所述栅区表面上制作具有第一硅化物厚度的第一硅化物区；制作第二隔层，其第二隔层宽度大于所述衬底上的所述第一隔层宽度，其中所述第二隔层保护所述衬底中的所述第一硅化物区；以及在所述衬底中及所述栅区表面上制作第二硅化物区，其中所述第二硅化物区的厚度大于所述第一硅化物区的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
