[发明专利]结晶半导体元件及其制造方法以及结晶装置无效
| 申请号： | 200480002402.X | 申请日： | 2004-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1739187A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 乾哲也;纲沢启;冈崎真也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用本发明的结晶半导体元件的制造方法在半导体层(2)的表面形成热传导率比基板(4)高的热扩散层(1)后，从该热扩散层(1)之上对半导体层(2)照射激光，通过这样，能制造结晶比现有长的结晶半导体元件。而且采用本发明能提供一种具有比现有晶粒直径更大的半导体层的结晶半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 半导体 元件 及其 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种结晶半导体元件的制造方法，包括在基板上形成半导体层的半导体层形成工序，以及对所述半导体层照射激光使该半导体层结晶的结晶工序，其特征在于，包括在所述半导体层表面设置热传导率比基板高的热扩散层的热扩散层形成工序，在所述结晶工序中，从所述热扩散层之上对半导体层照射激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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