[发明专利]用于沉积钽基材料的化学气相沉积母体

摘要

本发明公开了适用于在衬底上化学气相沉积含钽材料如钽、TaN、TaSiN等的钽母体。钽母体为取代的环戊二烯基钽化合物。在本发明的一个方面，这种化合物被甲硅烷化，以构成钽/硅源反应物。本发明的母体有利地用于半导体制造领域，以形成与半导体器件结构的铜金属化相关的扩散屏障。

主权项

1.一种下式化合物：其中：n为1-5的整数；每个R可以是相同或不同的，分别独立地选自：D、H、CH₃、C₂H₅、i-C₃H₇、C₄H₉、和Si(R″)₃，其中每个R″独立地选自H和C₁-C₄烷基；和每个R′可以是相同或不同的，分别独立地选自：D、H、C₁-C₄烷基、和Si(R″)₃，其中每个R″独立地选自H和C₁-C₄烷基；条件是每个R基团和R′不同时都为H。