[发明专利]薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法

摘要

c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，由组成式：(Bi₂O₂) ²⁺ (A_m－1B_mO_3m+1) ^2－、或Bi₂A_m－1B_mO_3m+3表示，所述组成式中的符号m为奇数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca以及Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo以及W的至少1种元素，所述铋层状化合物中的Bi，相对于所述组成式：(Bi₂O₂) ²⁺ (A_m－1B_mO_3m+1) ^2－、或Bi₂A_m－1B_mO_3m+3过剩含有，该Bi的过剩含量，换算为Bi，在0＜Bi＜0.6×m摩尔的范围内。

主权项

1.薄膜电容元件用组合物，其特征在于，c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物由组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-、或Bi2Am-1BmO3m+3表示，所述组成式中的符号m为奇数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca以及Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo以及W的至少1种元素，所述铋层状化合物中的Bi，相对于所述组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-、或Bi2Am-1BmO3m+3过剩含有，该Bi的过剩含量，换算为Bi，在0＜Bi＜0.6×m摩尔的范围内。