[发明专利]应变沟道鳍片场效应晶体管有效
| 申请号： | 200480002593.X | 申请日： | 2004-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1742375A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | S·达克什纳摩西;J·X·安;Z·克瑞沃卡皮奇;汪海宏;俞斌 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括鳍片(205)和形成于该鳍片上的层(305)。该鳍片(205)包括具有矩形横剖面和许多表面的第一结晶材料。该层(305)形成于该等表面上并包括第二结晶材料。该第一结晶材料较的该第二结晶材料具有不同的晶格常数，以令该层(305)内产生张力应变。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：鳍片(205)，包括第一结晶体材料和多个表面；以及第一层(305)，形成于该多个表面的至少一部分上，该第一层(305)包括第二结晶体材料，其中该第一结晶体材料较的该第二结晶体材料具有不同的晶格常数，以于该第一层内产生张力应变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进微装置公司，未经先进微装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480002593.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
