[发明专利]槽沟MOSFET技术在直流－直流变换器中的应用无效
| 申请号： | 200480002594.4 | 申请日： | 2004-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1742377A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 林·马;亚当·阿玛丽;悉达多·凯耶沃特;阿什塔·迈克丹尼;唐纳德·何;娜瑞雪·坦帕;瑞图·索德黑;凯丽·斯伯林;丹尼尔·金泽 | 申请（专利权）人： | 国际整流器有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 衷诚宣 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 槽沟型电源半导体装置，包括有一个凹槽端接结构(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 槽沟 mosfet 技术 直流 变换器 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种直流-直流变换器，包括：一个同步半导体装置；和一个控制半导体装置；其中，至少一种所述的半导体装置包括：一个具有主要表面的半导体管；一个在所述的半导体管内生成的激活区；和一个端接结构，所述的端接结构包括：一个在所述的半导体管内生成的端接槽沟，和一个在所述的端接槽沟中以及所述的主要表面下方生成的场氧化层。
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