[发明专利]窄鳍片场效应晶体管有效
| 申请号： | 200480002697.0 | 申请日： | 2004-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1759488A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | Z·克里沃卡皮奇;J·X·安;S·达克希纳－默西;汪海宏;B·于 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有小于6纳米的沟道宽度的窄沟道鳍式场效晶体管(FinFET)。该FinFET可包含一鳍片(140)，其中是利用氨水(NH4OH)蚀刻或活性离子蚀刻(RIE)来削减该沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 窄鳍片 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效晶体管器件，该金属氧化物半导体场效晶体管器件包含在绝缘层(120)上形成的源极(310)及漏极(320)，并包含在该绝缘层上且在该源极(310)与漏极(320)之间形成的鳍片结构(140)，该金属氧化物半导体场效晶体管器件的特征在于：在该鳍片结构的沟道区中形成的削薄区；至少在该鳍片结构的削薄区上形成的保护层(150，160)，该保护层的宽度大于该削薄区的宽度；在该鳍片结构的至少一个沟道部分周围形成的介电层(901)；以及在该介电层及该鳍片结构周围的绝缘层上形成的栅极(1101，1102)。
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