[发明专利]抛光含硅电介质的方法有效
| 申请号： | 200480002763.4 | 申请日： | 2004-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1742066A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·W·卡特;蒂莫西·P·约翰斯 | 申请（专利权）人： | 卡伯特微电子公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及抛光含硅介电层的方法，包括使用含有下列物质的化学－机械抛光体系：(a)无机研磨剂、(b)抛光添加剂、和(c)液体载体，其中该抛光组合物的pH值为约4－约6。该抛光添加剂含有pKa为约3－约9的官能团并选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合。本发明进一步涉及化学－机械抛光体系，其中该无机研磨剂为氧化铈。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抛光衬底的方法，包括：(i)将含有含硅介电层的衬底与化学-机械抛光体系相接触，该化学-机械抛光体系包括：(a)无机研磨剂，(b)具有pKa为约3-约9的官能团的抛光添加剂，其中该抛光添加剂选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合，和(c)液体载体，其中该抛光体系的pH值为约7或更小且不含有显著量的与无机研磨剂静电缔合的交联聚合物研磨剂颗粒，和(ii)研磨至少一部分含硅介电层以抛光该衬底。
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