[发明专利]介质陶瓷组合物、介质陶瓷和含有介质陶瓷的层压陶瓷部件无效
| 申请号： | 200480002832.1 | 申请日： | 2004-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1741975A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 石飞信一;福田晃一;河野孝史;射场久善 | 申请（专利权）人： | 宇部兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/44 | 分类号： | C04B35/44;C04B35/16;H01B3/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供介质陶瓷组合物，通过与低电阻导体例如银或铜的同时烧结，其可以在约800－1000℃的温度烧结从而使得可以内插低电阻导体并与其多层化，并且其烧结形成介电常数εr为10以下的介质陶瓷、和Q×f0值大且共振频率f0的温度系数τf的绝对值为20ppm/℃以下且该值容易控制的谐振器。基于100重量份的通式：aZnAl2O4－bZn2SiO4－cTiO2－dZn2TiO4表示的主成分，所述介质陶瓷组合物含有5－150重量份的玻璃成分，其中各成分的摩尔分数a、b、c和d满足5.0≤a≤80.0摩尔％，5.0≤b≤70.0摩尔％，5.0≤c≤27.5摩尔％，0≤d≤30.0摩尔％(a+b+c+d＝100摩尔％)。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 陶瓷 组合 含有 层压 部件 | ||
【主权项】：
1.介质陶瓷组合物，基于100重量份的通式(1)：aZnAl2O4-bZn2SiO4-cTiO2-dZn2TiO4表示的主成分，所述介质陶瓷组合物含有5-150重量份的玻璃成分，其中各成分的摩尔分数a、b、c和d满足5.0≤a≤80.0摩尔％，5.0≤b≤70.0摩尔％，5.0≤c≤27.5摩尔％，0≤d≤30.0摩尔％(a+b+c+d＝100摩尔％)。
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