[发明专利]凹凸图形的凹部充填方法和磁记录介质的制造方法无效
| 申请号： | 200480002854.8 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1742323A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 诹访孝裕;服部一博;大川秀一;日比干晴 | 申请（专利权）人： | TDK股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;王玉双 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能高效率地充填凹凸图形的凹部并确实平坦化表面的凹凸图形的凹部充填方法和能高效率制造具有凹凸图形的磁记录层而表面充分平坦化的磁记录介质的磁记录介质的制造方法。在形成有凹凸图形的被加工体(10)的表面上成膜用于充填凹部(34)的充填物(36)，再在充填物(36)上成膜被覆物(42)后，通过相对被覆物(42)的蚀刻除去磁记录层(32)上的多余的充填物(36)和被覆物(42)进行平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 凹凸 图形 充填 方法 记录 介质 制造 | ||
【主权项】：
1.一种凹凸图形的凹部充填方法，其特征在于，包括：在形成有规定的凹凸图形的被加工体的表面上成膜用于充填凹部的充填物的充填物成膜工序、在上述充填物上成膜被覆物的被覆物成膜工序、和通过相对上述被覆物的蚀刻速率比相对上述充填物的蚀刻速率低的干蚀刻法除去上述被加工体的表面上的多余的上述充填物和被覆物平坦化的平坦化的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK股份有限公司，未经TDK股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480002854.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
