[发明专利]含有低K介电阻挡膜的互连结构

摘要

本发明包括一种互连结构，该结构包含金属、介电中间层、以及制作在其间的陶瓷扩散阻挡层，陶瓷阻挡层的组份为Si_vN_wC_xO_yH_z，其中0.1≤v≤0.9，0≤w≤0.5，0.01≤x≤0.9，0≤y≤0.7，0.01≤z≤0.8，而v+w+x+y+z＝1。陶瓷扩散阻挡层对金属，即铜，起扩散阻挡的作用。本发明也包括所发明的陶瓷扩散阻挡层的制作方法，该方法包括的步骤是：淀积聚合陶瓷前体，其组分为Si_vN_wC_xO_yH_z，其中0.1＜v＜0.8，0＜w＜0.8，0.05＜x＜0.8，0＜y＜0.3，0.05＜z＜0.8，而v+w+x+y+z＝1；然后用热处理方法使聚合陶瓷前体层转变为陶瓷扩散阻挡层。

主权项

1.一种互连结构包含：制作在衬底上的至少一个导电金属特征；包围着所述至少一个金属特征的至少一个层间介电层；以及在所述至少一个层间介电层和至少一个导电金属特征之间的陶瓷扩散阻挡层，其组分为SivNwCxOyHz，其中0.1≤v≤0.9，0≤w≤0.5，0.01≤x≤0.9，0≤y≤0.7，0.01≤z≤0.8，而v+w+x+y+z＝1。