[发明专利]电子器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200480002930.5 申请日: 2004-01-27
公开(公告)号: CN1742393A 公开(公告)日: 2006-03-01
发明(设计)人: S·塞塔耶斯;D·M·德里尤;M·布伊彻;T·D·安托波洛斯;W·P·M·尼斯森;E·J·梅杰 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L51/05;H01L51/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;王忠忠
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 提供了一种具有呈双极特性的有机半导体材料的场效应晶体管。另外,使得能够实现双极特性的有机半导体材料是具有小带隙的材料。
搜索关键词: 电子器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、包含场效应晶体管的电子器件,该场效应晶体管设有通过包含有机半导体材料的沟道互相连接的源电极和漏电极,以及通过电介质层与沟道分隔的栅电极,其特征在于该有机半导体材料为小带隙材料,且源电极和漏电极包含相同的材料。
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