[发明专利]阵列基底液晶显示装置和制作阵列基底的方法无效
| 申请号： | 200480003008.8 | 申请日： | 2004-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1745480A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 松浦由纪;石田有亲 | 申请（专利权）人： | 东芝松下显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 以小岛形状的多个多晶硅薄膜(71)形成的其上的玻璃基底(3)上，形成栅绝缘薄膜(15)。对在栅绝缘薄膜(15)上形成的第一金属层(72)做图形，以在面向产生薄膜晶体管(4，5)的栅绝缘薄膜(15)上形成栅电极(16)。在栅绝缘薄膜(15)上，形成第二金属层(73)，以覆盖栅电极(16)。在薄膜晶体管(4，5)的栅电极(16)上接线部分(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 基底 液晶 显示装置 制作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基底，包括：透明基底；多个多晶半导体层，设置在透明基底的一个主表面上；栅绝缘薄膜，设置在透明基底的该主表面上，以覆盖这多个多晶半导体层；第一导电层，设置成经由该栅绝缘薄膜面向该多个多晶半导层中的一个；以及第二导电层，包括设置在该第一导电层的一个主表面上并电连接到该第一导电层的接线部分，和设置成经由该栅绝缘薄膜，面向这多个多晶硅半导体层中的任何另外一个的电容器接线部分，并在这多个多晶半导体层中的该另外一个和电容器接线部分的本身之间形成电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝松下显示技术有限公司，未经东芝松下显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480003008.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
