[发明专利]用于半导体器件的ARC层有效
| 申请号： | 200480003133.9 | 申请日： | 2004-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1765019A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 奥卢邦米·O·阿德图图;唐纳·O·阿鲁古 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;谢丽娜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在半导体器件的制造中使用的抗反射涂层(ARC)(201)。ARC层具有一个底部部分，该底部部分具有比位于其上的ARC层部分更低的硅百分比。在金属层(107)上形成ARC层，其中ARC层的更低硅百分比阻止了在金属层/ARC层界面处形成不希望的硅化物。在一些实施例中，ARC层的顶部部分具有比ARC层的中间部分更低的硅百分比，其中在顶部部分处更低的硅百分比阻止了在ARC层上破坏光刻胶层。在一个实施例中，在淀积工艺期间，通过降低或增加含氮气体流速相对于含硅气体流速的比值，能够增加或降低硅的百分比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 arc | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：半导体衬底；在所述衬底之上的金属层；以及在所述金属层之上的抗反射涂层(ARC)，具有与所述金属层相邻的底部部分和中间部分，其中所述中间部分具有比所述底部部分更高的硅百分比。
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