[发明专利]统一信道程序闪存位线制造方法有效
申请号: | 200480003230.8 | 申请日: | 2004-01-15 |
公开(公告)号: | CN1745473A | 公开(公告)日: | 2006-03-08 |
发明(设计)人: | A·格拉茨;M·罗伊里奇;V·波莱 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L21/8247 | 分类号: | H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/336;H01L29/788 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;梁永 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种制造包括排列于基材的浮动栅极装置及排列于在浮动栅极装置下的基材的绝缘的UCP闪存位线的制造方法。起初,该浮动栅极在光微影后由蚀刻沉积于整个基材表面的分开多晶硅层而产生。本发明目的在于提供一种方法,其中单元尺寸可减少且不显著增加制造成本,且其中该位线耐受后续方法的温度安排且无任何损伤。因此,该位线(13),具体化为由耐温材料所制造的埋入式位线,其乃与硅基材一起藉(2)自动调整的方式排列于该浮动栅极(1)下方的硅基材(2)或在主动区域的该绝缘(3)内。使用已结构化的该浮动栅极(1)做为蚀刻屏蔽,以藉由蚀刻该绝缘(3),产生沟渠(6),接着以低阻抗材料填充该沟渠(6)。 | ||
搜索关键词: | 统一 信道 程序 闪存 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造具排列于基材的浮动栅极及在该浮动栅极装置下的绝缘的统一信道程序闪存位线的方法,该浮动栅极先在预先的光微影后藉由蚀刻沉积于整个区域及位于该基材上的多晶硅层而产生,其特征在于该位线(13)于硅基材(2)中或在该浮动栅极(1)下方的该主动区域的绝缘(3)内以相关于其的自对准方式排列,为以耐温材料所制造的埋入式位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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