[发明专利]统一信道程序闪存位线制造方法有效

专利信息
申请号: 200480003230.8 申请日: 2004-01-15
公开(公告)号: CN1745473A 公开(公告)日: 2006-03-08
发明(设计)人: A·格拉茨;M·罗伊里奇;V·波莱 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: H01L21/8247 分类号: H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/336;H01L29/788
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;梁永
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种制造包括排列于基材的浮动栅极装置及排列于在浮动栅极装置下的基材的绝缘的UCP闪存位线的制造方法。起初,该浮动栅极在光微影后由蚀刻沉积于整个基材表面的分开多晶硅层而产生。本发明目的在于提供一种方法,其中单元尺寸可减少且不显著增加制造成本,且其中该位线耐受后续方法的温度安排且无任何损伤。因此,该位线(13),具体化为由耐温材料所制造的埋入式位线,其乃与硅基材一起藉(2)自动调整的方式排列于该浮动栅极(1)下方的硅基材(2)或在主动区域的该绝缘(3)内。使用已结构化的该浮动栅极(1)做为蚀刻屏蔽,以藉由蚀刻该绝缘(3),产生沟渠(6),接着以低阻抗材料填充该沟渠(6)。
搜索关键词: 统一 信道 程序 闪存 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造具排列于基材的浮动栅极及在该浮动栅极装置下的绝缘的统一信道程序闪存位线的方法,该浮动栅极先在预先的光微影后藉由蚀刻沉积于整个区域及位于该基材上的多晶硅层而产生,其特征在于该位线(13)于硅基材(2)中或在该浮动栅极(1)下方的该主动区域的绝缘(3)内以相关于其的自对准方式排列,为以耐温材料所制造的埋入式位线。
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