[发明专利]显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 200480003252.4 | 申请日： | 2004-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1745465A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/285;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/3065;B05D3/04;H05K3/10;G09F9/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提出的显示装置的制造方法，使用局部形成抗蚀膜的单元，以及利用在大气压或接近于大气压的压力下的等离子体处理局部成膜、蚀刻或灰化的单元，实现显示装置制作低成本化。本发明的显示装置的制造方法，其特征是具有在大气压或接近于大气压的压力下，局部形成导电膜并形成配线的工序。在这里，所谓配线，包含在有源矩阵型的显示装置的像素部中作为栅极配线和源极配线起作用的配线，此外还有从外部输入端子向像素部传送信号用的连接配线，以及将薄膜晶体管(TFT)与像素电极相连接用的配线等所有的配线。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包含在5～800torr的压力下，使用具有发生等离子体用的电极的等离子体处理单元，利用在基板上局部形成导电膜的方法形成配线的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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