[发明专利]等离子体显示装置以及在其中使用的荧光体的制造方法无效

专利信息
申请号: 200480003352.7 申请日: 2004-09-24
公开(公告)号: CN1745451A 公开(公告)日: 2006-03-08
发明(设计)人: 堀河敬司;青木正树;杉本和彦;宫前雄一郎;日比野纯一;田中好纪;瀬户口广志 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01J11/02 分类号: H01J11/02;H01J9/227;C09K11/08;C09K11/59
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明是一种可防止荧光体层的恶化、实现提高PDP的亮度和寿命、可靠性的等离子体显示装置以及在此装置中使用的荧光体的制造方法。此装置具有等离子体显示面板,在其中排列有多个放电单元,同时配置与各个放电单元相对应的颜色的荧光体层(110R、110G、110B),荧光体层(110R、110G、110B)被紫外线激励而发光。绿色荧光体层(110G)具有含Zn2SiO4:Mn的绿色荧光体,至少在表面附近的锌(Zn)和硅(Si)的元素比为2/1~2.09/1,带有正电或者不带电。
搜索关键词: 等离子体 显示装置 以及 其中 使用 荧光 制造 方法
【主权项】:
1.一种等离子体显示装置,具有等离子体显示面板,在其中排列有多个放电单元,同时配置与各个放电单元相对应的颜色的荧光体层,所述荧光体层被紫外线激励而发光,其特征在于,所述荧光体层具有含有Zn2SiO4:Mn的绿色荧光体层,由所述Zn2SiO4:Mn构成的绿色荧光体,以Mn作为激活剂,至少在表面附近的锌(Zn)和硅(Si)的元素比在2/1以上。
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