[发明专利]用于铜互连的牺牲金属衬层无效
| 申请号： | 200480003364.X | 申请日： | 2004-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1745471A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 安托尼·K·斯塔姆波尔;艾德华·C·考尼三世;罗伯特·M·格弗肯;杰弗里·R·马里诺;安德鲁·H·西蒙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种包含改进的衬层结构的半导体器件，该衬层结构形成在通路孔(5)中，该通路孔具有穿入金属线(7)的延伸的侧壁部分和底面(8)。该衬层结构包括两衬层，第一衬层(6)存在于通路孔侧壁上，但不存在于底面上，和第二衬层(9)位于第一衬层和通路孔的延伸侧壁部分与底面上。本发明也揭示了一种制造该衬层结构的方法，其中在刻蚀或净化处理前淀积第一衬层，该衬层结构从通路孔延伸进入金属线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 牺牲 金属 | ||
【主权项】：
1、一种包含衬层结构的半导体器件，包括：在半导体衬底上方的金属线；在所述金属线上方的电介质层；所述电介质层包括具有侧壁和底面的通路孔，其中侧壁的延伸部分和底面穿入所述的金属线；位于该通路孔的侧壁上但不在其底面上的第一衬层；和在所述第一衬层、侧壁穿入所述金属线的部分和通路孔底面上的第二衬层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
