[发明专利]薄膜晶体管有源矩阵基板的检验装置及方法无效
| 申请号： | 200480003642.1 | 申请日： | 2004-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1748151A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 手岛刚;上野俊明 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/28;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种检验下述基板的检验方法，包括：使探测器与薄膜晶体管有源矩阵基板相对的工序；向所述基板与所述探测器之间供应电介质流体的工序；向包括所述基板和所述探测器的闭合电路提供电源的工序；以及通过所述电源检测所述闭合电路中流动的信号的工序，根据该检验方法提供一种高检验效率且也适于有机EL用的基板的、非接触型TFT阵列基板检验装置及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 有源 矩阵 检验 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检验装置，其特征在于，包括：信号提供单元，向薄膜晶体管有源矩阵基板提供信号；探测器，与所述基板相对配置；检测单元，检测流经所述探测器的信号；以及流体供应单元，向所述基板与所述探测器之间供应电介质流体。
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