[发明专利]铁电膜、半导体装置、铁电膜的制造方法及其制造装置无效
| 申请号： | 200480003650.6 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1748264A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;高桥一郎;山田敦彦;樱井弘之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;大见忠弘 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;H01B19/00;H01L21/316;H01L27/10;C23C14/06;C01G35/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于降低Sr2 (Ta1－xNbx)O7 (0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法，具有膜形成工序和加热工序，在膜形成工序中，在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标物同样的构成材质形成的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而产生的目标原子沉积在衬底上，从而形成铁电膜；在加热工序中，加热所述铁电膜并进行氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电膜 半导体 装置 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种铁电膜，其中，使用以Sr、Ta、Nb为主成分的铁电材料作为膜材料；所述铁电膜的介电常数不足40且矫顽电场超过50kV/cm。
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