[发明专利]电容器及该电容器的制造方法有效
| 申请号： | 200480003652.5 | 申请日： | 2004-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1748271A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 内藤一美;矢部正二 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/028 | 分类号： | H01G9/028;H01G9/032;H01G9/04;H01G4/10;H01G4/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电容器的制造方法，是以在表面形成有电介质层的导体作为一个电极、以半导体层作为另一个电极的电容器的制造方法，在该电介质层上制作出电性微小缺陷部分后，利用通电方法在电介质层上形成上述半导体层。利用本发明的制造方法得到的电容器，其电容出现率好、ESR低、可靠性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器的制造方法，是以在表面上形成有电介质层的导体作为一个电极、以半导体层作为另一个电极的电容器的制造方法，其特征在于，在上述电介质层上制作电性微小缺陷部分使得导体单位表面积的漏电流值变为小于等于500μA/m2，然后利用通电方法在电介质层上形成上述半导体层。
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