[发明专利]薄膜晶体管基片无效
| 申请号： | 200480003672.2 | 申请日： | 2004-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1748318A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 郑敞午;赵范锡;崔熙焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/283;G02F1/136;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LCD装置的薄膜晶体管基片及其制造方法。该薄膜晶体管基片包括形成在含有硅的绝缘层图样上的镍－硅化物层及在镍－硅化物层上形成的金属层。将镍涂布在含有硅的绝缘层图样并且将金属层涂布在镍涂布层上。然后，在大约200～350℃的温度下进行热处理以获得镍－硅化物层。由于通过应用镍－硅化物布线制造LCD装置的薄膜晶体管基片，所以可以获得具有低电阻率且具有良好欧姆接触特性的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种用于显示装置的薄膜晶体管基片，包括：镍-硅化物层，形成在含有硅的绝缘层图样上；以及金属层，形成在所述镍-硅化物层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480003672.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
