[发明专利]闪存装置的改进制造方法有效
| 申请号： | 200480003688.3 | 申请日： | 2004-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1748298A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 何岳松;S·海戴德;王志刚 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 于制造半导体装置的方法中，将栅极氧化层(60)设于硅基板(62)上。将第一多晶硅层(64)设于栅极氧化层(60)上，将电介质层(66)设于第一多晶硅层(64)上，和将第二多晶硅层(68)设于电介质层(66)上。于适当屏蔽后，进行蚀刻步骤，蚀刻该第二多晶硅层(68)、电介质层(66)、第一多晶硅层(64)、和栅极氧化层(60)，去除他们的部分以露出硅基板(62)，并于硅基板(62)上形成堆栈栅极结构(72)。进行短时间周期，即譬如10至20秒的快速热退火，于堆栈栅极结构(72)上生长薄的氧化物层(80)。然后，于该快速热退火所形成的氧化物层(80)上沉积另一氧化物层(82)。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 改进 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于包括下列步骤：提供基板(62)；于该基板(62)上设堆栈栅极结构(72)；以及利用退火而于该堆栈栅极结构(72)上形成氧化物层(80)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
