[发明专利]抛光设备和抛光集成电路金属层的两步方法无效
| 申请号： | 200480003924.1 | 申请日： | 2004-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1748302A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | V·恩古延霍安格;R·达亚门 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种根据本发明的集成电路(IC)的制造方法，以提供预制的集成电路(10)开始，预制的集成电路(10)包括电器件(2)并具有涂覆电介质材料(12)和金属(15)的表面(11)。电介质材料(12)具有填充有金属(15)的开口(13)，电介质材料(12)可由阻挡层(14)与金属(15)隔开。通过抛光第一时间段去除开口(13)外部的金属(15)的部分，在其之后将蚀刻剂(25)添加到抛光液(24)，并继续进行抛光第二时间段，用于去除残留在开口(13)外部的金属(15)的部分。抛光设备(40)能够执行该方法。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 设备 集成电路 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的制造方法，该方法包括如下步骤：提供预制的集成电路(10)，预制的集成电路(10)包括电器件(2)并具有依序涂覆有电介质材料(12)和金属(15)的表面(11)，电介质材料(12)具有开口(13)，且金属(15)延伸到开口(13)中，由此电接触电器件(2)，通过使用抛光液(24)抛光第一时间段，去除开口(13)外部的金属(15)部分，以及将蚀刻剂(25)添加到抛光液(24)，同时继续抛光第二时间段，用于去除残留在开口(13)外部的金属(15)的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480003924.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
