[发明专利]制造增强的半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 200480004029.1 | 申请日： | 2004-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1748305A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 让－诺埃尔·奥道克斯;丹尼斯·格罗宁克 | 申请（专利权）人： | 雅斯拓股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 法国蒙*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体切片的方法。该半导体切片包括有源面和非有源面。钝化层(PASS)沉积于有源面上。该方法包括有机层沉积步骤，其中有机层(ORGA1)沉积于半导体切片的非有源面上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 增强 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体切片的方法，所述半导体切片包括有源面和非有源面，钝化层沉积于所述有源面上，其中，所述方法包括有机层沉积步骤，其中在所述半导体切片的非有源面上沉积有机层。
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