[发明专利]液相蚀刻方法及液相蚀刻装置无效
申请号: | 200480004146.8 | 申请日: | 2004-02-23 |
公开(公告)号: | CN1751383A | 公开(公告)日: | 2006-03-22 |
发明(设计)人: | 水野文二;佐佐木雄一朗;中山一郎;金田久隆 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李贵亮;杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种液相蚀刻方法和液相蚀刻装置,该方法中,在作为被处理物的固体或固体的集合体或者胶凝状的物体上以规定速度吹附化学反应性液体进行蚀刻;该装置具有保持被处理物的机构和在被保持的被处理物上吹附化学反应性液体用的喷嘴结构。根据本发明能够维持蚀刻的精度并且能够大幅度提高蚀刻速度。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种液相蚀刻方法,其包括:以规定速度对被处理物吹附化学反应性液体的工序;利用被吹附的所述液体对所述被处理物进行蚀刻的工序。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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