[发明专利]极粗糙的衬底上的半导体结构有效
| 申请号： | 200480004161.2 | 申请日： | 2004-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1751387A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 奥利维耶·雷萨克;米里埃尔·马蒂内;塞普奥罗·比松;利昂内尔·波尔蒂吉利亚蒂 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，包括：衬底(10)或基层，具有大于0.5nm rms粗糙度的表面或具有不适合于分子键合的化学性质；选自半导体材料的材料层(14)；称为键合层的层(12)，位于衬底或基层与选自半导体材料的材料层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 粗糙 衬底 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，包括：衬底(10、30)或基层，具有粗糙度大于0.5nm rms的表面或具有不适合于分子键合的化学性质，并且具有大于1W/cm/K的热导率；选自半导体材料的材料层(14、24)；称为键合层的层(12、22)，位于所述衬底或基层与所述选自半导体材料的材料层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
