[发明专利]用于存储器的可变刷新控制有效

专利信息
申请号: 200480004373.0 申请日: 2004-02-06
公开(公告)号: CN1751356A 公开(公告)日: 2006-03-22
发明(设计)人: 约翰·M·博尔甘 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李镇江
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 存储器(10)包括用于控制使用电容进行数据存储的存储器阵列(12)的刷新速度的可变刷新控制电路(20)。在一个实施例中,多个测试存储器单元(30,32,34和36)中的每一个测试单元被以不同的速度刷新。提供了用于监视所述多个测试存储器单元的每一个的被存储的逻辑状态的监视电路(18),并且作为响应,调整存储器阵列(12)的刷新速度。在另一个实施例中,可变刷新控制电路(20’)包括多个测试存储器单元(70,72,74和76),它们被以相同的速度刷新,但是,每个测试存储器单元(70,72,74和76)被实现为具有与其它测试存储器单元不同的电荷存储能力。监视电路(18)监视所述多个测试存储器单元(70,72,74和76)的每一个的被存储的逻辑状态,并且作为响应,调整存储器阵列(12)的刷新速度。
搜索关键词: 用于 存储器 可变 刷新 控制
【主权项】:
1.一种存储器,包括:需要进行周期地刷新,以便保持存储的数据的多个存储器单元;可变刷新控制电路,包括多个测试存储器单元,所述多个测试存储器单元的每一个包括用于存储表示被存储的逻辑状态的电荷的电容,并且所述多个测试存储器单元的每一个被以和所述多个测试存储器单元的其它的测试存储器单元不同的速度刷新;和监视电路,用于监视所述多个测试存储器单元的每一个的被存储的逻辑状态,并且作为响应,调节所述多个存储器单元的刷新速度。
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