[发明专利]半导体器件及制造这种器件的方法有效
| 申请号： | 200480004395.7 | 申请日： | 2004-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1751394A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | R·范达伦;P·阿加瓦;J·W·斯洛特布姆;G·E·J·库普斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/737 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有衬底(11)和具有异质结双极型尤其是npn型晶体管的半导体主体(12)的半导体器件，异质结双极型晶体管具有发射区(1)、基区(2)和集电区(3)，其分别具有第一、第二和第三连接导体(4，5，6)，且其中基区(2)的带隙小于集电区(3)或发射区(1)的带隙，在基区(2)中例如通过使用硅－锗混合晶体代替纯硅。这种器件特征在于很高的速度，但是该晶体管表现出相对低的BVceo。在根据本发明的器件(10)中，通过嵌入到发射区(1)中的第二导电类型的另一半导体区域(20)来局部降低发射区(1)的掺杂量。以这种方式，一方面，确保了低阻抗发射极接触，同时局部增加了Gummel数量而没有通常与这种增长相关联的缺点。以这种方式，npn晶体管中的空穴电流增加了，且因此降低了增益。Si－Ge晶体管的相对高的增益响应于在根据本发明的器件(10)中因此避免的低BVCeOf。优选另一半导体区域(20)凹陷到发射区(1)中，且所述的发射区(1)优选包括毗邻于基区(2)的较低掺杂部分，且其位于另一半导体区域(20)下方。本发明还包括一种制造根据本发明的半导体器件(10)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 这种 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(10)，具有衬底(12)和包括双极型异质结晶体管的由硅制成的半导体主体(11)，双极型异质结晶体管具有第一导电类型的发射区(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基区(2)和第一导电类型的集电区(3)，其分别具有第一、第二和第三连接导体(4，5，6)，其中基区(2)包括带隙小于集电区(3)或发射区(1)的材料的带隙的半导体材料，其特征在于，通过嵌入到发射区(1)中的第二导电类型的另一半导体区域(20)来局部降低发射区(1)的掺杂剂量。
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