[发明专利]电容器及制造电容器的方法有效
| 申请号： | 200480004600.X | 申请日： | 2004-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1751367A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | H·－J·巴斯;P·菲斯纳;E·卡塔里奥鲁;U·科斯特;T·沙夫鲍尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/40;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;王忠忠 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明系提供一种半导体装置，其系具有由一高K电介质及一对在该电介质两侧之相互连接所形成之电容，本发明亦提供一种制造此种半导体装置之方法。该相互连接包含一通孔及一金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，其包含：一第一电极，其系形成于一半导体衬底内，该第一电极包含一第一通孔及一连接于该第一通孔之金属层，该第一电极系电连接于该半导体衬底之一第一区域；一第二电极，其系形成于该半导体衬底内，该第二电极包含一第二通孔及一连接于该第二通孔之金属层，该第二电极系电连接于该半导体衬底之一第二区域；以及一高K电介质，其系置于该第一电极和该第二电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480004600.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于编码自动预充电的装置和方法
- 下一篇：操作部用照明装置
