[发明专利]含有丙烯酸类聚合物的光刻用形成填隙材料的组合物有效
| 申请号： | 200480004773.1 | 申请日： | 2004-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1751271A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 竹井敏;石井和久;岸冈高广;境田康志 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027;C08L33/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻用形成填隙材料的组合物，其在双镶嵌工艺中使用、用于形成平坦化性、填充性优异的填隙材料。具体的说是一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的半导体基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在半导体基板上转印图像的方法进行的，该组合物含有聚合物、交联剂和溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 丙烯酸 类聚 光刻 形成 填隙 材料 组合 | ||
【主权项】：
1.一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的半导体基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在半导体基板上转印图像的方法进行的，该组合物含有聚合物、交联剂和溶剂，所述聚合物仅由下述通式(1)所示的结构单元形成，(式中R1表示氢原子、甲基、氯原子或溴原子，R2表示氢原子或羟基，p表示1、2、3或4，q表示0、1、2或3)、分子量为3000或其以下的成分的比例为20％或其以下。
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