[发明专利]铅直结构中具特制纳米管的集成电子组件无效
| 申请号： | 200480005046.7 | 申请日： | 2004-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN1754258A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | R·塞德;F·克鲁普;A·格拉哈姆 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明是关于一种集成电子组件，其包含一基板(10)、至少配置在所述基板区域的至少一金属多层系统、以及配置在所述金属多层系统上并具有至少一接触孔的一非传导层(50)；其中，在所述接触孔底部的金属多层系统上成长至少一纳米管。所述金属多层系统是由具有高熔点的一金属层(20)、一金属分隔层与一催化剂层所构成。本发明亦特别关于一种在铅直结构中制造纳米管的方法，以及特别关于一种利用金属多层系统在铅直结构中制造纳米管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 铅直 结构 特制 纳米 集成 电子 组件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电子组件，其包含一基板(10)、至少一金属多层系统与一非传导层(50)，所述金属多层系统是配置在至少所述基板(10)的区域上，而所述非传导层(50)是配置在所述金属多层系统上且具有至少一接触孔(80)，其中至少一纳米管(90)是成长在所述接触孔(80)底部的所述金属多层系统上，所数金属多层系统是由一高熔点金属层(20)、一金属分隔层(30)与一催化剂层(40)组成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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