[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200480005107.X | 申请日： | 2004-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1754229A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 佐藤和生 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/28 | 分类号： | G11C16/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体存储装置包括：多个存储器阵列单元(以下称作单元)；电路，其被设置在上述每个单元，将上述单元的各位线预充电为规定的电压；和比较电路，其在每个位线上将为了读出数据而被选择的单元的各位线的输出电压和参考用而被选择的单元的各位线的输出电压进行比较。在上述数据的读出时，将在为了读出上述数据而被选择的单元的位线上预充电的电压值和在上述参考用时被选择的单元的位线上预充电的电压值暂时设置为不同的值。由此，由1次的读出操作可读出为了读出数据而被选择的单元的所有输出位数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，其特征在于，具备：多个存储器阵列单元；预充电电路，其被设置在所述每个存储器阵列单元中，将所述存储器阵列单元的各位线预充电为规定的电压；比较电路，其在各位线的每一个上将为了读出数据而被选择的存储器阵列单元的各位线的输出电压和参考用而被选择的存储器阵列单元的各位线的输出电压进行比较，在所述数据的读出时，将在为了读出所述数据而被选择的存储器阵列单元的位线上预充电的电压值和在所述参考用而被选择的存储器阵列单元的位线上预充电的电压值暂时设置为不同的值。
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