[发明专利]钽酸锂晶体的制造方法有效
| 申请号： | 200480005133.2 | 申请日： | 2004-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1754014A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 盐野嘉幸 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B33/02;H01L41/187;H01L41/24 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;颜薇 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种钽酸锂晶体的制造方法，该方法为至少将第一材料与已单一极化的钽酸锂晶体相重迭而在还原性环境和低于居里点的温度T2’下进行热处理，使该已单一极化的钽酸锂晶体的导电率提高，其中该第一材料含有：在还原性环境和低于居里点的温度T1’下热处理过的钽酸锂或铌酸锂，或是贮藏氢的贮氢金属。因此，通过提高钽酸锂晶体的导电率，使已产生的表面电荷不产生聚集现象，从而可使由于对碳酸锂晶体施加温度而产生的表面电荷消失，同时，能够维持单一极化构造而发挥有效的压电性。 | ||
| 搜索关键词： | 钽酸锂 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钽酸锂晶体的制造方法，该方法可使该钽酸锂晶体导电率增大，其特征在于：于低于温度T1的温度T2下且在还原性的环境中，使已在温度T1下还原处理过之物质与钽酸锂晶体接触。
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