[发明专利]曝光装置、曝光方法以及器件制造方法有效
| 申请号： | 200480005148.9 | 申请日： | 2004-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1754250A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 长坂博之;大和壮一;西井康文 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 曝光装置是通过使光线经过规定图案再透过一种液体投影到感光基板上来使感光基板曝光的。曝光装置有一套用于投影的投影光学系统和用于供给液体到感光基板上从而在部分感光基板上形成液体浸入区域的液体供给机构。液体供给机构向感光基板供给液体。供给的液体同时向投影区四周扩散。曝光装置能通过回收液体很好地保持液体浸入区域，所以能阻止液体流向浸入区外面并且能很好地曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
1、一种曝光装置，通过隔着液体把规定图案的像投影到基板上来曝光基板，该曝光装置包括：把上述图案的像投影到基板上的投影光学系统；为了在包含投影光学系统的投影区域的一部分基板上形成液浸区域，从在多个不同的方向上与投影区域隔开的多个位置上同时向基板上进行液体供给的液体供给机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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