[发明专利]带有大面积接线的功率半导体器件的连接技术有效
| 申请号： | 200480005284.8 | 申请日： | 2004-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1799134A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | N·泽利格尔;K·魏德纳;J·查普夫 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟;赵辛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一个衬底和一个设置在衬底上的器件上涂覆一个电绝缘材料的覆层，使它衔接在由衬底和器件构成的表面轮廓上。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 大面积 接线 功率 半导体器件 连接 技术 | ||
【主权项】：
1.具有一个设置在衬底(1)上的器件(2)的装置的制造方法，其中该器件(2)具有一个电接触面(210)，其中，-使一个电绝缘材料的覆层(3)涂覆到衬底(1)和器件(2)上，-通过在电绝缘材料的覆层(3)中开着和/或打开一个大于器件侧面和/或表面尺寸60％的窗口，该窗口在该表面上开着和/或打开，使所述器件的电接触面(210)至少局部地空着和/或外露，-使一个导电材料的覆层(4)涂覆到电绝缘材料的覆层(3)和器件的电接触面(210)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
