[发明专利]具晶体管及导线的集成半导体电路

摘要

本发明与一种包含一晶体管与一导线(11)的集成半导体电路有关。所述的晶体管包含一第一与一第二源极/漏极电极(1、2)以及一栅极电极，所述的导线(11)与一半导体基板相互电绝缘并且在所述的晶体管的区域上形成所述的栅极电极，而且所述的导线(11)在所述的晶体管区域上沿着一第一方向(x)延伸。根据本发明，所述的第二源极/漏极电极(2)排列成在所述的第一方向(x)上与所述的第一源极/漏极电极(1)相互偏移。因此，所形成的晶体管具有一反向信道(K1)，其延伸于所述的第一与第二源极/漏极电极上彼此相互面对的两个角落区域(1a、2a)间，亦即具有此传统的晶体管更狭窄的信道，其可制造更紧密的半导体电路。

主权项

1.一种集成半导体电路，其包含一晶体管(10)以及一导线(11)，其中：-所述的晶体管(10)具有一第一与一第二源极/漏极电极以及一栅极电极(7)，所述第一与第二源极/漏极是排列在一半导体基板上(20)；-所述的导线(11)经由一栅极介电层(14)而与所述的半导体基板(20)电绝缘，并且所述的栅极电极(7)是形成在所述的晶体管(10)区域上；-所述的导线(11)沿着所述的晶体管(10)区域上的一第一方向(x)延伸；-所述的第二源极/漏极电极(2)排列成与所述的第一源极/漏极电极(1)在所述的第一方向(x)上相互偏移；以及-所述的晶体管(10)在所述的栅极电极(7)与所述的半导体基板(20)间具有一电荷储存层(13)，其中，在所述电荷储存层(13)中的电子电荷(Q1、Q2)是局部结合的。