[发明专利]形成沟槽隔离结构的方法

摘要

提供一种形成沟槽隔离结构的方法，在凹槽内它既不产生空隙，也不产生裂纹。该方法包括步骤：在硅基底表面上形成凹槽；涂覆聚硅氮烷溶液；涂覆聚硅氮烷溶液；在预烘干温度下预烘干涂层，调节温度使得温度在50～400℃的范围内随时间流逝而升高；在高于最大预烘干温度的温度下固化涂层；抛光和蚀刻该膜。以两步或多步的逐步增长方式或单调增长方式提高温度的同时进行预烘干。

主权项

1.一种形成沟槽隔离结构的方法，包括：凹槽形成步骤，在硅基底上形成沟槽隔离凹槽；涂覆步骤，在所述基底上涂覆将聚硅氮烷溶解于有机溶剂中制备的聚硅氮烷溶液，形成聚硅氮烷涂层；预烘干步骤，预烘干涂覆的基底，同时调节预烘干步骤中的温度，使温度在50～400℃的范围内随时间流逝而升高；固化步骤，以高于最大预烘干温度到1000℃或以下的温度，在水汽浓度不小于1％的惰性气体或氧气环境中处理预烘干的基底，将聚硅氮烷涂层转化成二氧化硅膜；抛光步骤，由CMP(化学机械抛光)有选择地抛光所述二氧化硅膜；和蚀刻步骤，通过蚀刻有选择地除去抛光步骤后剩余未除去的二氧化硅膜。