[发明专利]芳香族高分子、膜、电解质膜和隔板有效
申请号: | 200480005837.X | 申请日: | 2004-03-02 |
公开(公告)号: | CN1756789A | 公开(公告)日: | 2006-04-05 |
发明(设计)人: | 森山英树;佃明光 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | C08G73/08 | 分类号: | C08G73/08;C08G69/32;H01M8/02;H01M8/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种芳香族高分子,其是以特定的比例含有芳香族聚酰胺结构单元和芳香族碳酰肼结构单元的芳香族高分子,该芳香族高分子在成型为膜时,杨氏模量高,断裂点伸长率大且吸湿率低。另外,可以利用选自酸和碱的药品将具有碳酰肼结构的化合物,在温和的条件下廉价的脱水环化。 | ||
搜索关键词: | 芳香族 高分子 电解 质膜 隔板 | ||
【主权项】:
1.一种芳香族高分子,含有下述化学式(I)、(II)和(III)所示的结构单元、并且在设化学式(I)、(II)和(III)所示的结构单元的摩尔百分率(%)分别为l、m、n时,满足下式(1)~(3),80≤l+m+n≤100……(1)5≤m≤90 ……(2)10≤n≤90 ……(3)R1:任意的芳香族基R2:任意的芳香族基R3:具有选自醚基(-O-)、亚甲基(-CH2-)和磺酰基(-SO2-)中的至少一种取代基的碳原子数12或其以上的芳香族基R4:任意的芳香族基R5:任意的芳香族基R6:任意的芳香族基。
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