[发明专利]在剥离薄层之后重复利用包含多层结构的晶片有效
| 申请号： | 200480006143.8 | 申请日： | 2004-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1757106A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | B·吉斯兰;C·奥内特;B·奥特诺;T·赤津;Y·M·勒瓦扬 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片(10)的一种方法，所述施主晶片(10)依次包含衬底(1)和多层结构(I)，所述多层结构(I)在剥离之前包含待剥离的有用层，所述过程包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于，在除去物质之后，所述多层结构的至少一部分(I′)仍保留，所述缓冲结构的至少一部分(I′)包含至少一层可剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。本文献还涉及：根据本发明从至少一片可重复利用的施主晶片(10)剥离薄层的方法，根据本发明可重复利用的施主晶片(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 薄层 之后 重复 利用 包含 多层 结构 晶片 | ||
【主权项】：
1.在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片(10)的一种方法，所述施主晶片(10)依次包含衬底(1)和多层结构(I)，多层结构(I)在剥离之前包含待剥离的有用层，所述过程包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于，在除去物质之后，多层结构的至少一部分(I′)仍保留，所述缓冲结构的至少一部分(I′)包含至少一层可剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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