[发明专利]用于制备具有衬有阻挡层的开孔的半导体组件的方法

摘要

本发明公开了一种具有金属化系统的半导体组件(10)以及用于制备该半导体组件(10)的方法，该金属化系统包含薄的保形的多层阻挡层结构(60)。介电材料层(30，34)形成在较低层的互连之上。硬掩模(36)形成在介电层(30，34)之上，并且开孔(50，52，54)穿过硬掩模(36)而蚀刻到介电层(30，34)内。利用原子层沉积，开孔(50，52，54)衬有薄的保形的多层阻挡层(60)。衬有多层阻挡层的开孔填充有被平坦化的导电材料(66)。

主权项

1.一种用于制备半导体组件(10)的方法，包括：提供具有主表面(16)的半导体基片(12)；在所述主表面(16)之上提供互连层；在所述互连层之上形成介电材料(30，34)；在所述介电材料(30，34)之内形成开孔(50，52，54)，所述开孔具有侧壁(55，56，57)；在所述开孔(50，52，54)之内形成多层阻挡层(60)以形成衬有阻挡层的开孔，所述多层阻挡层(60)包括第一层(62)和第二层(64)导电材料，所述第二层(64)导电材料配置在所述第一层(62)导电材料之上；以及用导电材料(66)填充所述衬有阻挡层的开孔。